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MOCVD高温改造

发布日期:2015-01-05

客户需求:

      将现有Axitron 6x2’ GaN型MOCVD设备石墨盘盘面温度提高到1350℃,且盘面温度均匀性±1℃。

实施效果:

      昭信半导体通过提供一套全新设计的全金属构架加热器,提高加热器长期工作温度,更好的抑制加热器高温变形。对原设备中,涉及高温改造的水、电、控制进行更换或者优化设计,实现原MOCVD设备的高温化需求。经过一年的可靠运行和更好的外延均匀性,得到客户的认同。


经验分享:
      传统MOCVD设备最高工作温度一般在1150℃-1250℃左右,应用范围有限。而许多半导体器件如:微波毫米器件、高电子迁移率晶体管、深紫外探测器及深紫外LED均需要更高的生长温度以满足器件性能要求。随着这些半导体器件的应用领域逐步扩展到医疗器械、水处理、空气消毒、高分子聚合物固化、防伪、军事通信等领域,市场对高温外延设备的需求日益强烈。在传统MOCVD设备基础上进行改造,既可以降低外延厂家前期设备投入,也可以实现原MOCVD设备外延芯片的多样化,丰富外延生产线。MOCVD高温化改造是外延厂家实现高温外延最迅速、最有效的低成本途径。